研磨和抛光陶瓷-案例
氧化铝和碳化硅陶瓷部件,特别是密封件,需要金刚石磨料,最好是配合复合盘技术,以达到最佳效果。多年来科密特与一些最大的陶瓷零件OEM制造商合作提供机台设备快速和经济的研磨陶瓷部件取得高平面度和表面光洁度规格。
使用科密特复合研磨盘还可以确保陶瓷零件非常清洁。在处理白色氧化铝基陶瓷时尤其重要。在某些情况下,其他一些替代工艺可能会导致研磨/抛光过程中被嵌入的黑色污染物。
测试要求:依据图纸上要求将镀银的陶瓷零件研磨去除银涂层。
组件/材料:镀银压电环
机器类型:科密特15台式研磨机台
零件原本的平度为0.009 µm。在研磨和抛光后已经将其减小到0.004 µm。
研磨陶瓷工艺细目 | |||
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阶段 | 板/布类型 | 磨料类型/等级 | 处理时间 |
1 圈数 | 凯梅特铜 | 液体金刚石6微米K型标准 | 每张脸10分钟 |
2 抛光 | ASFL 抛光垫 | 液体金刚石3微米K型标准 | 每张脸5分钟 |
研磨陶瓷之前
研磨后陶瓷
测试要求:使用非金属工艺对陶瓷圆盘进行研磨和抛光,以达到最佳的表面光洁度和平面度。
组件/材料:陶瓷圆盘
机器类型:科密特36站立式研磨机
流程细目 | |||
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阶段 | 板/布类型 | 磨料类型/等级 | 处理时间 |
1 圈数 | PR3研磨板 | 45型K STD金刚石浆料 | 20分钟 |
2 抛光 | ASFL 抛光垫 | 3 KDS1454金刚石浆料 | 15分钟 |
第一阶段研磨陶瓷
第二阶段抛光陶瓷
测试要求:搭接并镜面抛光2个陶瓷零件
组件/材质:陶瓷
第一阶段。 去清除率为每分钟1微米。第2阶段。ASFL抛光的时间大约为30分钟。去除率每分钟0.3微米。在第1阶段使用了铸铁修整调节环,在第2阶段使用了塑料面的修整调节环。研磨和抛光表面的总厚度为25μm,Ra为0.003μm。 Kemet建议对生产中的零件进行超声波清洗,以必免用纸巾进行手动清洗。
流程细目 | |||
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阶段 | 板/布类型 | 磨料类型/等级 | 处理时间 |
1 圈数 | Kemet 铁 | 液体金刚石6微米K型标准 | 20分钟 |
2 抛光 | ASFL 抛光垫 | 液体金刚石3微米K型标准 | 20分钟 |